Tổng quan về sản phẩm
Chất kết dính đóng gói điện tử cao cấp này được chia thành các loại đóng rắn bổ sung và đóng rắn ngưng tụ, được tối ưu hóa đặc biệt cho việc đóng gói thiết bị có dải rộng. Nó cung cấp độ bám dính và độ ổn định nhiệt tuyệt vời cho các chất nền PCB, CPU, PC và PMMA, cũng như các vật liệu bán dẫn khác nhau. Nó hấp thụ hiệu quả ứng suất chu kỳ nhiệt cực cao được tạo ra bởi hoạt động tần số cao và nhiệt độ cao của các thiết bị có dải tần rộng, bảo vệ các tấm wafer bên trong và dây liên kết vàng, đồng thời cung cấp khả năng chống thấm nước, chống bụi và chống ăn mòn toàn diện.
Tính năng và ưu điểm của sản phẩm cốt lõi
Được thiết kế dành riêng cho các thiết bị bán dẫn có dải thông rộng, sản phẩm này có lợi thế cạnh tranh độc đáo so với các vật liệu làm bầu thông thường:
1. Khả năng chịu nhiệt độ cực rộng: Hoạt động ổn định từ -60oC đến 220oC, thích ứng hoàn hảo với môi trường làm việc nhiệt độ cao của các thiết bị băng thông rộng GaN và SiC.
2. Giảm căng thẳng vượt trội: Cấu trúc linh hoạt giúp bù đắp ứng suất giãn nở và co lại do nhiệt, tránh nứt thiết bị và suy giảm hiệu suất trong quá trình hoạt động tần số cao trong thời gian dài.
3. Hiệu suất bảo vệ đầy đủ: Tích hợp các chức năng cách nhiệt, tản nhiệt, chống thấm nước, chống ẩm và chống sốc, với khả năng chống ozone và xói mòn hóa học vượt trội.
4. Liên kết ổn định & độ biến động thấp: Hàm lượng dễ bay hơi thấp và độ bền kết cấu cao, liên kết chắc chắn nhôm, đồng và thép không gỉ, đảm bảo hoạt động ổn định lâu dài của các thiết bị bán dẫn chính xác.
Kịch bản ứng dụng
Thích hợp để đóng gói và bảo vệ niêm phong cho tất cả các loại thiết bị có dải thông rộng, bao gồm chất bán dẫn điện SiC và GaN, thiết bị RF tần số cao và mô-đun điện tử chịu nhiệt độ cao. Được sử dụng rộng rãi trong điện tử năng lượng mới, thiết bị hàng không vũ trụ và hệ thống điều khiển công nghiệp cao cấp. Nó cải thiện đáng kể độ ổn định và tuổi thọ sử dụng của các thiết bị có băng thông rộng, giảm tỷ lệ lỗi sản phẩm và giảm chi phí vận hành và hậu mãi của nhà sản xuất.
Quy trình sử dụng từng bước
1. Tiền xử lý: Khuấy đều thành phần A để phân tán đều chất độn đã lắng và lắc kỹ thành phần B trước khi trộn.
2. Trộn theo tỷ lệ: Tuân thủ nghiêm ngặt tỷ lệ trọng lượng thành phần AB tiêu chuẩn để đảm bảo trộn đồng đều và hiệu suất ổn định.
3. Khử bọt chân không: Đặt silicone đã hỗn hợp vào thùng chứa chân không 0,01MPa trong 3 phút khử bọt để loại bỏ các bong bóng nhỏ ảnh hưởng đến độ chính xác của chất bán dẫn.
4. Quá trình bảo dưỡng: Áp dụng nhiệt độ phòng hoặc xử lý bằng nhiệt. Sản phẩm có thể tiến hành các quy trình tiếp theo sau quá trình đóng rắn ban đầu, quá trình đóng rắn hoàn toàn hoàn tất trong vòng 24 giờ.
Chứng nhận & Tuân thủ
Là nguyên liệu silicon công nghiệp đáng tin cậy, các sản phẩm của chúng tôi vượt qua các chứng nhận ISO 9001, CE và UL và tuân thủ các tiêu chuẩn môi trường ROHS, đáp ứng các thông số kỹ thuật đóng gói thiết bị bán dẫn cao cấp quốc tế.
Tùy chọn tùy chỉnh
Chúng tôi hỗ trợ tùy chỉnh OEM được cá nhân hóa. Độ cứng, độ nhớt, thời gian vận hành và tốc độ xử lý có thể được điều chỉnh để phù hợp với các quy trình đóng gói thiết bị có dải rộng khác nhau.
Kiểm soát sản xuất & chất lượng
Với kinh nghiệm sản xuất silicone chuyên nghiệp, chúng tôi thực hiện sản xuất tiêu chuẩn hóa và QC toàn quy trình nghiêm ngặt. Thử nghiệm mẫu trước khi sản xuất và kiểm tra toàn bộ trước khi giao hàng đảm bảo chất lượng lô ổn định và nhất quán.
Câu hỏi thường gặp
Câu hỏi 1: Nó có thể thích ứng với hoạt động ở nhiệt độ cao của các thiết bị có băng thông rộng không? Đ: Vâng. Nó có khả năng chịu nhiệt độ cao và thấp tuyệt vời, duy trì hiệu suất bảo vệ ổn định trong điều kiện làm việc ở nhiệt độ cao lâu dài của chất bán dẫn dải rộng.
Câu 2: Sự phân tầng keo có ảnh hưởng đến bao bì bán dẫn không? Trả lời: Sự phân tầng nhẹ là bình thường sau khi bảo quản lâu. Ngay cả việc khuấy cũng sẽ không ảnh hưởng đến khả năng bảo vệ đóng gói và hiệu suất liên kết.
Câu 3: Phương pháp lưu trữ đúng là gì? A: Giữ kín và bảo quản trong môi trường khô ráo. Nên sử dụng hết keo AB hỗn hợp cùng một lúc để tránh làm giảm hiệu suất.