Quản lý nhiệt trạm gốc 5G: Cách bầu silicone giải quyết thách thức về nhiệt

Các hợp chất làm bầu truyền thống được sử dụng trong các trạm gốc 4G thường có độ dẫn nhiệt trong khoảng 0,2-0,3 W/mK. Mặc dù phù hợp với mật độ năng lượng thấp hơn của các thiết bị vô tuyến từ xa 4G, những vật liệu này không thể quản lý tải nhiệt do AAU 5G tạo ra. Nhiệt độ mối nối vượt quá giới hạn thiết kế dẫn đến giảm hiệu suất khuếch đại, tăng tỷ lệ lỗi và tăng tốc độ xuống cấp linh kiện.

Thách thức đối với các nhà khoa học vật liệu là việc tăng độ dẫn nhiệt thường đòi hỏi phải bổ sung thêm nhiều hạt độn dẫn nhiệt, điều này cũng làm tăng hằng số điện môi của vật liệu. Hằng số điện môi cao ảnh hưởng đến việc truyền tín hiệu RF, có khả năng làm suy giảm chính các tín hiệu mà bộ khuếch đại đang cố truyền tải.

Hong Ye Silicone đã giải quyết thách thức này bằng công thức HY-9055, đạt được độ dẫn nhiệt 0,5 W/mK trong khi duy trì hằng số điện môi đủ thấp để hạn chế tổn thất tín hiệu RF xuống dưới 0,1dB. Sự cân bằng này đạt được thông qua việc lựa chọn và phân loại cẩn thận các vật liệu độn cũng như tối ưu hóa sự phân bổ kích thước hạt.

Dữ liệu triển khai hiện trường từ nhiều nhà khai thác mạng 5G xác nhận tính hiệu quả của phương pháp này. Các trạm cơ sở được trang bị HY-9055 duy trì nhiệt độ tiếp giáp PA thấp hơn 15-20C so với thiết kế làm mát bằng không khí, mang lại những cải thiện đáng kể về chất lượng tín hiệu và độ tin cậy của thiết bị. Thời gian xử lý nhanh 2-4 giờ hỗ trợ lịch trình sản xuất nhanh chóng cần thiết cho việc xây dựng mạng.

Điểm chính:

• Mật độ nhiệt 5G AAU vượt quá thiết bị 4G từ 3-5 lần

• Silicon bầu phải cân bằng độ dẫn nhiệt với độ trong suốt RF

• Hợp chất 0,5 W/mK làm giảm nhiệt độ tiếp giáp PA khoảng 15-20C

• Có thể đạt được mức suy giảm tín hiệu dưới 0,1dB nhờ các công thức được tối ưu hóa

---

Nguồn: Nhóm Giải pháp 5G Hong Ye Silicone | Liên hệ: info@szrl.net | +86-755-89948006 | www.szrl.net